PRODUCTS製品情報

クリーン搬送システム

MAF-Gシリーズプリアライナー

化合物・ガラス対応裏面吸着式
MAF-Gシリーズ 化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-GA

本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。

製品特徴

###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。

###φ200mm~φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。

###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。

###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。

###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。

###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。

製品規格

適用ワーク
φ200mm~φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
処理時間
4.5秒以内(φ300mmを処理時)
処理精度
XY:±0.1mm以内(3σ)θ:±0.1°以内(3σ)
処理可能範囲
±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
ウェーハ保持方法
裏面真空吸着
ウェーハ保持確認
デジタル表示付き真空センサー
通信仕様
RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
ユーティリティ
電源:DC24V±10% 5A 1系統真空:-80kPa以下 1系統
質量
本体:約12kg
MAF-Gシリーズ 化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-GB

本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。

製品特徴

###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。

###φ100mm~φ200mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。

###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。

###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。

###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。

###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。

製品規格

適用ワーク
φ100mm~φ200mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
処理時間
5.5秒以内(φ200mmを処理時)
処理精度
XY:±0.1mm以内(3σ)θ:±0.1°以内(3σ)
処理可能範囲
±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
ウェーハ保持方法
裏面真空吸着
ウェーハ保持確認
デジタル表示付き真空センサー
通信仕様
RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
ユーティリティ
電源:DC24V±10% 5A 1系統真空:-80kPa以下 1系統
質量
本体:約12kg
MAF-Gシリーズ 化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-GC

本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。

製品特徴

###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。

###φ150mm~φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。

###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。

###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。

###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。

###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。

製品規格

適用ワーク
φ150mm~φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
処理時間
4.5秒以内(φ300mmを処理時)
処理精度
XY:±0.1mm以内(3σ)θ:±0.1°以内(3σ)
処理可能範囲
±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
ウェーハ保持方法
裏面真空吸着
ウェーハ保持確認
デジタル表示付き真空センサー
通信仕様
RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
ユーティリティ
電源:DC24V±10% 5A 1系統真空:-80kPa以下 1系統
質量
本体:約12kg
MAF-Gシリーズ 化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-GM_Z

本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。

製品特徴

###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。

###φ50.8mm~φ100mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。

###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。

###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。

###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。

###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。

製品規格

適用ワーク
φ50.8mm~φ100mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
処理時間
9.0秒以内(φ100mmを処理時)
処理精度
XY:±0.2mm以内(3σ)θ:±0.2°以内(3σ)
処理可能範囲
±4mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
ウェーハ保持方法
裏面真空吸着
ウェーハ保持確認
デジタル表示付き真空センサー
通信仕様
RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
ユーティリティ
電源:DC24V±10% 5A 1系統真空:-80kPa以下 1系統ドライエア:0.4MPa±50kPa 1系統
質量
本体:約12kg
化合物・ガラス対応裏面吸着式
MAF-Gシリーズ 化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-GP-Z

本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。

製品特徴

###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。

###φ50.8mm~φ100mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。

###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。

###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。

###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。

製品規格

適用ワーク
φ50.8mm~φ100mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
処理時間
4.5秒以内(φ100mmを処理時)
処理精度
XY:±0.2mm以内(3σ)θ:±0.2°以内(3σ)
処理可能範囲
±4mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
ウェーハ保持方法
裏面真空吸着
ウェーハ保持確認
デジタル表示付き真空センサー
通信仕様
RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
ユーティリティ
電源:DC24V±10% 5A 1系統真空:-80kPa以下 1系統ドライエア:0,4MPa±50kPa 1系統
質量
本体:約14kg

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