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半导体制造相关设备

TWH系列临时键合/机械解键合

支持体機械剥離洗浄装置
TWH系列 机械解键合洗净装置

该装置是用于解键合用热硬化性树脂/可塑性树脂粘合了的器件用的衬底

机械法解键合后,会自动洗净残留物。

由于使用tape frame,在原理上元器件用的薄化可以尽可能到达极限数值为止。

产品特点

平台

###通过采用了TAZMO的多重配置机制,我们可以提供从单个单元到装置化的多元化的形式。

工艺单元

###可以安装机械解键合单元

###可以安装洗净机 

###各种安全使用,比如说防爆,消防方法等

操作性

###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。

Specification

衬底解键合与洗净一体装置
TWH-SR-CC系列
提供的适用尺寸
适用于Dicing frame8英寸,12英寸
提供的适用盒装载器
Dicing frame盒装/Loadport
回收衬底的unload
开放式的unload
EFEM
安装机械人、校准器
机械解键合
可能安装1个单元
清洗机制
最大可能安装2个单元
PEEL装置
TWH系列 PEEL装置

衬底解键合后,器件表面会有残留,该残留我们用Peel tape来清除

由于是dry法去胶所以有助于降低成本。

产品特点

平台

###通过采用了TAZMO的多重配置机构,我们可以提供从单个单元到装置化的多元化的形式。

工艺单元

###可以安装压力PEEL的监控 

###可以对应无tape frame(Option)

操作性

###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。

Specification

Peel装置
TWH-PL 系列
处理对象
φ200 or 300 mm的wafer
压力
0 ~ 300 N
速度
0 ~ 20 mm/sec
tape的核心的内径
φ76.8 mm
其他
符合安全规范
機械剥離装置
TWH系列 机械解键合装置

TAZMO经过多年开发研究的独有的机械解键合装置。

该装置具有非常强的解键合能力,并且该装置的构造对器件还有衬底都具备柔软性。

产品特点

平台

###应对热固化/热塑性材料 (室温)机械解键合装置

工艺单元

###TAZMO独创的解键合机制 Ultra Smoothness

###贴合Dicing frame并进行处理

操作性

###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。

Specification

机械解键合装置
TWH-SR系列
适用对象
φ150~300mm的wafer
衬底基板
Si , GLASS 等
Dicing tape、tape
使用
卡盘
多孔卡盘
解键合机构
TAZMO自创的刀片机构
其他
室温
テープフレーム
対応洗浄装置
TWH系列 对应带tape frame洗净装置

清洗每一个带有tape frame的wafer的器件的表面。

Tape frame是由特殊的防护装置保护着,因此不会与溶剂接触。

产品特点

平台

###Multi Layout system; Stand alone, semi-automatic and fully automatic equipments are available.

工艺单元

###可以对应各种凹凸不平具有段差的器件

###选择式的喷嘴系统

###可以安装二流体的喷雾器

###可以安装超音波洗净机

###可选择废液罐的过滤方式

操作性

###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。

Specification

应对tape frame的清洗装置
TWH-CC系列
尺寸
tape frame8英寸,12英寸
回转数
0 ~ 1500[rpm]
安装的喷嘴的数量
2系统
其它
符合安全规范
TWH系列 临时键合装置

该装置使用研发开发中的热固化材料/热塑化材料的临时键合装置并且已发布。

TAZMO能提供高性能,价格合理的装置。

产品特点

平台

###Multi Layout system; Stand alone, semi-automatic and fully automatic equipments are available.

工艺单元

###可能升温到250℃为止

###作为衬底的Si或Glass可以被临时键合

操作性

###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。

Specification

键合装置
TWH-BD系列
适用对象的尺寸
φ200 or 300 mm
校准器的精准度
X-Y: 30μm
键合的压力
φ300: 20kN φ200:10kN
卡盘
静电卡盘的规格
温度
最大能对应250℃
真空压力
< 10Pa
键合的精度
TTV < 3μm *使用Bare wafer时、50μm的膜厚
其它
符合安全规范
sem-eg@tazmo.co.jp

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