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高清洁传送系统

预对准校正机

化合物・ガラス対応裏面吸着式
MAF-G 系列 支持高速化合物,玻璃制品背面吸附方式 MAF-GA

本制品采用非接触方式,可高速调整晶圆的定向平面及中心定位。

产品特点

###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式,从而实现了高速处理。

###对应φ200mm~φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。

###自动识别晶圆的尺寸及V形切口,定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

###可以通过RC232或RS485串列通信,或者光学I/O并联通新的方式进行控制。

###传感器采用了CCD方式的受光素子,实现了高处理量。

Specification

Wafer handling
φ200mm~φ300mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
4.5秒以内(处理φ300mm)
处理精度
XY:±0.1mm以内(3σ)θ:±0.1°以内(3σ)
处理范围
±5mm以内(晶片偏心量)
晶片保持方法
背面真空吸附
晶片保持确认
数字显示真空传感器
通信规格
RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O(并行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统真空: -80kPa以下 1系统
重量
本体:約12kg
MAF-G 系列 支持高速化合物,玻璃制品背面吸附方式 MAF-GB

本制品采用非接触方式,可高速调整晶圆的定向平面及中心定位。

产品特点

###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式,从而实现了高速处理。

###对应φ100mm~φ200mm SEMI/JEIDA硅晶圆。

###自动识别晶圆的尺寸及V形切口,定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

###可以通过RC232或RS485串列通信,或者光学I/O并联通新的方式进行控制。

###传感器采用了CCD方式的受光素子,实现了高处理量。

Specification

Wafer handling
φ100mm~φ200mm SEMI/JEIDA规格晶片 ※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
5.5秒以内(处理φ200mm)
处理精度
XY:±0.1mm以内(3σ) θ:±0.1°以内(3σ)
处理范围
±5mm以内 (晶片偏心量)
晶片保持方法
背面真空吸附
晶片保持确认
数字显示真空传感器
通信规格
RS-232C,RS-485(串行通信) 光学 I/O(并行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统 真空: -80kPa以下 1系统
重量
本体:約12kg
MAF-G 系列 支持高速化合物,玻璃制品背面吸附方式 MAF-GC

本制品采用非接触方式,可高速调整晶圆的定向平面及中心定位。

产品特点

###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式,从而实现了高速处理。

###对应φ150mm~φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。

###自动识别晶圆的尺寸及V形切口,定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

###可以通过RC232或RS485串列通信,或者光学I/O并联通新的方式进行控制。

###传感器采用了CCD方式的受光素子,实现了高处理量。

Specification

Wafer handling
φ150mm~φ300mm SEMI/JEIDA规格晶片 ※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
4.5秒以内(处理φ300mm)
处理精度
XY:±0.1mm以内(3σ) θ:±0.1°以内(3σ)
处理范围
±5mm以内 (晶片偏心量)
晶片保持方法
背面真空吸附
晶片保持确认
数字显示真空传感器
通信规格
RS-232C,RS-485(串行通信) 光学 I/O(并行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统 真空: -80kPa以下 1系统
重量
本体:約12kg
MAF-G 系列 支持高速化合物,玻璃制品背面吸附方式 MAF-GM_Z

本制品采用非接触方式,可高速调整晶圆的定向平面及中心定位。

产品特点

###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式,从而实现了高速处理。

###对应φ150mm~φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。

###自动识别晶圆的尺寸及V形切口,定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

###可以通过RC232或RS485串列通信,或者光学I/O并联通新的方式进行控制。

###传感器采用了CCD方式的受光素子,实现了高处理量。

Specification

Wafer handling
φ50.8mm~φ100mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
9秒以内(处理φ300mm)
处理精度
XY:±0.2mm以内(3σ)θ:±0.2°以内(3σ)
处理范围
±4mm以内(晶片偏心量)
晶片保持方法
背面真空吸附
晶片保持确认
数字显示真空传感器
通信规格
RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O(并行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统真空: -80kPa以下 1系统DRY AIR:0,4MPa±50kPa 1系统
重量
本体:約12kg
化合物・ガラス対応裏面吸着式
MAF-G 系列 支持高速化合物,玻璃制品背面吸附方式 MAF-GP-Z

本制品采用非接触方式,可高速调整晶圆的定向平面及中心定位。

产品特点

###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式,从而实现了高速处理。

###对应φ50.8mm~φ100mm SEMI/JEIDA硅晶圆。

###自动识别晶圆的尺寸及V形切口,定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

###可以通过RC232或RS485串列通信,或者光学I/O并联通新的方式进行控制。

###传感器采用了CCD方式的受光素子,实现了高处理量。

Specification

Wafer handling
φ50.8mm~φ100mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
4.5秒以内(处理φ100mm)
处理精度
XY:±0.2mm以内(3σ)θ:±0.2°以内(3σ)
处理范围
±4mm以内(晶片偏心量)
晶片保持方法
背面真空吸附
晶片保持确认
数字显示真空传感器
通信规格
RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O(并行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统真空: -80kPa以下 1系统DRY AIR:0,4MPa±50kPa 1系统
重量
本体:約14kg
化合物・ガラス対応エッジホールド式
MAF-M 系列 支持高速化合物,玻璃制品边缘保持式 MAF-MH

采用不接触背面方式,将晶圆的颗粒物污染控制在最小。

一款适用φ300mm晶圆的机械嵌校准器。

产品特点

###也可以支持化合物半导体及玻璃晶圆(请另行咨询)。

###只接触晶圆的边缘,实现了清洁定位的概念。

###自动识别晶圆的V形切口及定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

Specification

Wafer handling
φ300mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
8.0秒以内(不换手时)20.0秒以内(换手时)
处理精度
θ:±0.2°以内(3σ)
处理范围
±1mm以内(晶片偏心量)
晶片保持方法
夹持边缘
晶片保持确认
photo micro sensor
通信规格
RS-232C(串行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统DRY AIR: φ6mm 0.35MPa~0.4MPa 1系統
重量
本体:約8kg
化合物・ガラス対応エッジホールド式
MAF-M 系列 支持高速化合物,玻璃制品边缘保持式 MAF-MJ

采用不接触背面方式,将晶圆的颗粒物污染控制在最小。

一款适用φ200mm晶圆的机械嵌校准器。

产品特点

###也可以支持化合物半导体及玻璃晶圆(请另行咨询)。

###只接触晶圆的边缘,实现了清洁定位的概念。

###自动识别晶圆的V形切口及定向平面,省略了上级控制器的设定。

###内置型控制器的紧凑设计。

Specification

Wafer handling
φ200mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话,请事先与我们商谈。
处理时间
8.0秒以内(不换手时)20.0秒以内(换手时)
处理精度
θ:±0.2°以内(3σ)
处理范围
±1mm以内(晶片偏心量)
晶片保持方法
夹持边缘
晶片保持确认
photo micro sensor
通信规格
RS-232C(串行通信)
适用范围
电源:DC24V±10% 5A 1系统DRY AIR: φ6mm 0.35MPa~0.4MPa 1系統
重量
本体:約8kg
lcd-eg@tazmo.co.jp

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