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高清洁传送系统
预对准校正机
MAF-S 系列 支持高速化合物，玻璃制品边缘保持式 MAF-SHKZ
采用不接触背面方式，将晶圆的颗粒物污染控制在最小。
一款适用φ300mm晶圆的机械嵌校准器。
产品特点
###也可以支持化合物半导体及玻璃晶圆（请另行咨询）。
###只接触晶圆的边缘，实现了清洁定位的概念。
###自动识别晶圆的V形切口及定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
Specification
- Wafer handling
- φ300mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 8.0秒以内(不换手时)20.0秒以内（换手时）
- 处理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 处理范围
- ±1mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 夹持边缘
- 晶片保持确认
- photo micro sensor
- 通信规格
- RS-232C(串行通信)
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统DRY AIR： φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 重量
- 本体：約8kg
MAF-S 系列 支持高速化合物，玻璃制品边缘保持式 MAF-SJ
采用不接触背面方式，将晶圆的颗粒物污染控制在最小。
一款适用φ200mm晶圆的机械嵌校准器。
产品特点
###也可以支持化合物半导体及玻璃晶圆（请另行咨询）。
###只接触晶圆的边缘，实现了清洁定位的概念。
###自动识别晶圆的V形切口及定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
Specification
- Wafer handling
- φ200mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 8.5秒以内(不换手时)20.0秒以内（换手时）
- 处理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 处理范围
- ±1mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 夹持边缘
- 晶片保持确认
- photo micro sensor
- 通信规格
- RS-232C(串行通信)
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统DRY AIR： φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 重量
- 本体：約8kg
MAF-S 系列 支持高速化合物，玻璃制品边缘保持式 MAF-SK
采用不接触背面方式，将晶圆的颗粒物污染控制在最小。
一款适用φ150mm晶圆的机械嵌校准器。
产品特点
###也可以支持化合物半导体及玻璃晶圆（请另行咨询）。
###只接触晶圆的边缘，实现了清洁定位的概念。
###自动识别晶圆的V形切口及定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
Specification
- Wafer handling
- φ150mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 8.5秒以内(不换手时)20.0秒以内（换手时）
- 处理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 处理范围
- ±1mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 夹持边缘
- 晶片保持确认
- photo micro sensor
- 通信规格
- RS-232C(串行通信)
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统DRY AIR： φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 重量
- 本体：約8kg
产品特点
###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式，从而实现了高速处理。
###对应φ200mm～φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。
###自动识别晶圆的尺寸及V形切口，定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
###可以通过RC232或RS485串列通信，或者光学I/O并联通新的方式进行控制。
###传感器采用了CCD方式的受光素子，实现了高处理量。
Specification
- Wafer handling
- φ200mm～φ300mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 4.5秒以内(处理φ300mm)
- 处理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 处理范围
- ±5mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 背面真空吸附
- 晶片保持确认
- 数字显示真空传感器
- 通信规格
- RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O（并行通信）
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统真空： -80kPa以下 1系统
- 重量
- 本体：約12kg
产品特点
###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式，从而实现了高速处理。
###对应φ100mm～φ200mm SEMI/JEIDA硅晶圆。
###自动识别晶圆的尺寸及V形切口，定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
###可以通过RC232或RS485串列通信，或者光学I/O并联通新的方式进行控制。
###传感器采用了CCD方式的受光素子，实现了高处理量。
Specification
- Wafer handling
- φ100mm～φ200mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 5.5秒以内(处理φ200mm)
- 处理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 处理范围
- ±5mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 背面真空吸附
- 晶片保持确认
- 数字显示真空传感器
- 通信规格
- RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O（并行通信）
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统真空： -80kPa以下 1系统
- 重量
- 本体：約12kg
产品特点
###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式，从而实现了高速处理。
###对应φ150mm～φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。
###自动识别晶圆的尺寸及V形切口，定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
###可以通过RC232或RS485串列通信，或者光学I/O并联通新的方式进行控制。
###传感器采用了CCD方式的受光素子，实现了高处理量。
Specification
- Wafer handling
- φ150mm～φ300mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 4.5秒以内(处理φ300mm)
- 处理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 处理范围
- ±5mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 背面真空吸附
- 晶片保持确认
- 数字显示真空传感器
- 通信规格
- RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O（并行通信）
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统真空： -80kPa以下 1系统
- 重量
- 本体：約12kg
产品特点
###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式，从而实现了高速处理。
###对应φ150mm～φ300mm SEMI/JEIDA硅晶圆。
###自动识别晶圆的尺寸及V形切口，定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
###可以通过RC232或RS485串列通信，或者光学I/O并联通新的方式进行控制。
###传感器采用了CCD方式的受光素子，实现了高处理量。
Specification
- Wafer handling
- φ50.8mm～φ100mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 9秒以内(处理φ300mm)
- 处理精度
- XY：±0.2mm以内（3σ)θ：±0.2°以内（3σ)
- 处理范围
- ±4mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 背面真空吸附
- 晶片保持确认
- 数字显示真空传感器
- 通信规格
- RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O（并行通信）
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统真空： -80kPa以下 1系统DRY AIR：0,4MPa±50kPa 1系统
- 重量
- 本体：約12kg
产品特点
###晶片的中心定位及角度调整采用非倒换方式，从而实现了高速处理。
###对应φ50.8mm～φ100mm SEMI/JEIDA硅晶圆。
###自动识别晶圆的尺寸及V形切口，定向平面，省略了上级控制器的设定。
###内置型控制器的紧凑设计。
###可以通过RC232或RS485串列通信，或者光学I/O并联通新的方式进行控制。
###传感器采用了CCD方式的受光素子，实现了高处理量。
Specification
- Wafer handling
- φ50.8mm～φ100mmSEMI/JEIDA规格晶片※使用玻璃晶片等特殊晶片的话，请事先与我们商谈。
- 处理时间
- 4.5秒以内(处理φ100mm)
- 处理精度
- XY：±0.2mm以内（3σ)θ：±0.2°以内（3σ)
- 处理范围
- ±4mm以内(晶片偏心量)
- 晶片保持方法
- 背面真空吸附
- 晶片保持确认
- 数字显示真空传感器
- 通信规格
- RS-232C,RS-485(串行通信)光学 I/O（并行通信）
- 适用范围
- 电源：DC24V±10％ 5A 1系统真空： -80kPa以下 1系统DRY AIR：0,4MPa±50kPa 1系统
- 重量
- 本体：約14kg
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