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半导体制造相关设备
临时键合/机械解键合
TWH系列 机械解键合洗净装置
该装置是用于解键合用热硬化性树脂/可塑性树脂粘合了的器件用的衬底
机械法解键合后,会自动洗净残留物。
由于使用tape frame,在原理上元器件用的薄化可以尽可能到达极限数值为止。
产品特点
平台
###通过采用了TAZMO的多重配置机制,我们可以提供从单个单元到装置化的多元化的形式。
工艺单元
###可以安装机械解键合单元
###可以安装洗净机
###各种安全使用,比如说防爆,消防方法等
操作性
###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。
Specification
- 衬底解键合与洗净一体装置
- TWH-SR-CC系列
- 提供的适用尺寸
- 适用于Dicing frame8英寸,12英寸
- 提供的适用盒装载器
- Dicing frame盒装/Loadport
- 回收衬底的unload
- 开放式的unload
- EFEM
- 安装机械人、校准器
- 机械解键合
- 可能安装1个单元
- 清洗机制
- 最大可能安装2个单元
TWH系列 PEEL装置
衬底解键合后,器件表面会有残留,该残留我们用Peel tape来清除
由于是dry法去胶所以有助于降低成本。
产品特点
平台
###通过采用了TAZMO的多重配置机构,我们可以提供从单个单元到装置化的多元化的形式。
工艺单元
###可以安装压力PEEL的监控
###可以对应无tape frame(Option)
操作性
###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。
Specification
- Peel装置
- TWH-PL 系列
- 处理对象
- φ200 or 300 mm的wafer
- 压力
- 0 ~ 300 N
- 速度
- 0 ~ 20 mm/sec
- tape的核心的内径
- φ76.8 mm
- 其他
- 符合安全规范
TWH系列 机械解键合装置
TAZMO经过多年开发研究的独有的机械解键合装置。
该装置具有非常强的解键合能力,并且该装置的构造对器件还有衬底都具备柔软性。
产品特点
平台
###应对热固化/热塑性材料 (室温)机械解键合装置
工艺单元
###TAZMO独创的解键合机制 Ultra Smoothness
###贴合Dicing frame并进行处理
操作性
###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。
Specification
- 机械解键合装置
- TWH-SR系列
- 适用对象
- φ150~300mm的wafer
- 衬底基板
- Si , GLASS 等
- Dicing tape、tape
- 使用
- 卡盘
- 多孔卡盘
- 解键合机构
- TAZMO自创的刀片机构
- 其他
- 室温
TWH系列 对应带tape frame洗净装置
清洗每一个带有tape frame的wafer的器件的表面。
Tape frame是由特殊的防护装置保护着,因此不会与溶剂接触。
产品特点
平台
###Multi Layout system; Stand alone, semi-automatic and fully automatic equipments are available.
工艺单元
###可以对应各种凹凸不平具有段差的器件
###选择式的喷嘴系统
###可以安装二流体的喷雾器
###可以安装超音波洗净机
###可选择废液罐的过滤方式
操作性
###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。
Specification
- 应对tape frame的清洗装置
- TWH-CC系列
- 尺寸
- tape frame8英寸,12英寸
- 回转数
- 0 ~ 1500[rpm]
- 安装的喷嘴的数量
- 2系统
- 其它
- 符合安全规范
TWH系列 临时键合装置
该装置使用研发开发中的热固化材料/热塑化材料的临时键合装置并且已发布。
TAZMO能提供高性能,价格合理的装置。
产品特点
平台
###Multi Layout system; Stand alone, semi-automatic and fully automatic equipments are available.
工艺单元
###可能升温到250℃为止
###作为衬底的Si或Glass可以被临时键合
操作性
###通过GUI屏幕简单地实现各种操作。就算繁杂的recipe也能简单地编辑。
Specification
- 键合装置
- TWH-BD系列
- 适用对象的尺寸
- φ200 or 300 mm
- 校准器的精准度
- X-Y: 30μm
- 键合的压力
- φ300: 20kN φ200:10kN
- 卡盘
- 静电卡盘的规格
- 温度
- 最大能对应250℃
- 真空压力
- < 10Pa
- 键合的精度
- TTV < 3μm *使用Bare wafer时、50μm的膜厚
- 其它
- 符合安全规范
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