PRODUCTS製品情報

半導体製造装置

貼合・剥離装置

支持体機械剥離洗浄装置
TWHシリーズ 支持体機械剥離洗浄装置

熱硬化型/可塑型材料で貼合されたデバイスの支持体を剥離する装置です。

機械剥離後、残渣洗浄まで自動で行います。

テープフレームでハンドリングするため、デバイスの薄化は理論上、可能な数値の極限まで薄化可能です。

製品特徴

プラットホーム

###タツモマルチレイアウト機構採用により、ユニット単体から装置化まで多彩な形態をご提供。

プロセスユニット

###機械剥離ユニット搭載

###洗浄機構搭載 

###防爆、消防法等、各種安全仕様

操作性

###GUI画面による優れた操作性を実現。複雑なレシピ編集も簡単にできます。

製品規格

支持体機械剥離洗浄一貫装置
TWH-SR-CCシリーズ
供給ワークサイズ
ダイシングフレーム8インチ、12インチ用
供給ワークカセットローダ
ダイシングフレームカセット/ロードポート
支持体収納アンローダ
OPENカセット式アンローダ
EFEM
ロボット、アライナ搭載
機械剥離
1ユニット搭載可能
洗浄機構
最大2ユニット搭載可能
PEEL装置
TWHシリーズ PEEL装置

支持体を剥離後、デバイス表面に残っている残渣を

ピールテープを用いて残渣剥離を行います。

ドライ工程で、コスト低減に有用です。

製品特徴

プラットホーム

###タツモマルチレイアウト機構採用により、ユニット単体から装置化まで多彩な形態をご提供。

プロセスユニット

###PEEL圧力モニタリング機構搭載 

###テープフレームレス機構対応可能(Option)

操作性

###GUI画面による優れた操作性を実現。複雑なレシピ編集も簡単にできます。

製品規格

ピール装置
TWH-PLシリーズ   
処理ワーク
φ200 or 300 mmウェーハ
圧力
0 ~ 300 N
速度
0 ~ 20 mm/sec
テープコア内径
φ76.8 mm
その他
安全仕様準拠
機械剥離装置
TWHシリーズ 機械剥離装置

タツモが開発したユニークな機構を持つこの機械剥離装置は、他社にない圧倒的な剥離力を秘めており、かつデバイス、支持体に優しい構造になっています。

製品特徴

プラットホーム

###熱硬化/可塑型対応 (室温)機械剥離装置

プロセスユニット

###タツモ独自剥離機構(特許申請中) Ultra Smoothness

###ウェハをダイシングフレームに貼り付けて処理します。

操作性

###GUI画面による優れた操作性を実現。複雑なレシピ編集も簡単にできます。

製品規格

機械剥離装置
TWH-SRシリーズ
処理ワーク
φ150~300mmウェーハ
支持体基板
Si ,GLASS 等
ダイシングフレーム、テープ
使用する
チャック
ポーラスチャック
剥離機構
タツモオリジナルブレード搭載
その他
室温
テープフレーム
対応洗浄装置
TWHシリーズ テープフレーム 対応洗浄装置

ウェーハをテープフレームに貼り付けたままデバイス表面の洗浄を行います。

テープフレームは、専用のガードにより保護されるため溶剤接触はありません。

製品特徴

プラットホーム

###タツモマルチレイアウト機構採用により、ユニット単体から装置化まで多彩な形態をご提供。

プロセスユニット

###高段差デバイス形状対応

###選択式ノズルシステム

###2流体スプレー搭載可能

###超音波洗浄機構搭載可能

###廃液タンク濾過方式選択可能

操作性

###GUI画面による優れた操作性を実現。複雑なレシピ編集も簡単にできます。

製品規格

テープフレーム対応洗浄装置
TWH-CCシリーズ
サイズ
テープフレーム8インチ、12インチ用
回転数
0 ~ 1500[rpm]
ノズル搭載数
2系統
その他
安全仕様準拠
TWHシリーズ 貼合装置

開発中であった熱硬化型/可塑型材料を使用する貼合装置がリリースされました。

タツモでは、高性能である以上に効果対費用を考えたリーズナブルな価格をめざした装置を提供致します。

製品特徴

プラットホーム

###タツモマルチレイアウト機構採用により、ユニット単体から装置化まで多彩な形態をご提供。

プロセスユニット

###250℃まで昇温可能

###支持体としてSiあるいはGlassの貼合が可能

操作性

###GUI画面による優れた操作性を実現。複雑なレシピ編集も簡単にできます。

製品規格

貼合装置
WH-BDシリーズ
処理ワークサイズ
φ200 or 300 mm
アライメント精度
X-Y: 30μm
貼合圧
φ300: 20kN φ200:10kN
チャック
静電チャック仕様
温度
最大 250℃対応
真空圧
< 10Pa
貼合精度
TTV < 3μm *Bare wafer使用時、50μm膜厚
その他
安全仕様準拠

Japan

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