PRODUCTS製品情報
クリーン搬送システム
プリアライナー
MAF-Sシリーズ
化合物・ガラス対応
エッジホールド式
MAF-SHKZ
裏面非接触でウェーハへのパーティクル汚染を最小限に抑えたφ300mm対応のメカクランプ方式のアライナーです。
製品特徴
###化合物半導体･ガラスにも対応可能です。(ご相談下さい)
###ウェーハに対して端面のみの接触で、クリーンアライメントを実現しております。
###ノッチ、オリフラの種別を自動で識別するため上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内臓したコンパクトなデザインに仕上がっています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 8.0秒以内(持ち替え無し時)20.0秒以内（持ち替え有り時）
- 処理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±1mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- エッジホールド
- ウェーハ保持確認
- フォトマイクロセンサ
- 通信仕様
- RS-232C(シリアル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 3A 1系統ドライエア：φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 質量
- 本体：約8kg
MAF-Sシリーズ
化合物・ガラス対応
エッジホールド式
MAF-SJ
裏面非接触でウェーハへのパーティクル汚染を最小限に抑えたφ200mm対応のメカクランプ方式のアライナーです。
製品特徴
###化合物半導体･ガラスにも対応可能です。(ご相談下さい)
###ウェーハに対して端面のみの接触で、クリーンアライメントを実現しております。
###ノッチ、オリフラの種別を自動で識別するため上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内臓したコンパクトなデザインに仕上がっています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ200mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 8.5秒以内(持ち替え無し時)20.0秒以内（持ち替え有り時）
- 処理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±1mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- エッジホールド
- ウェーハ保持確認
- フォトマイクロセンサ
- 通信仕様
- RS-232C(シリアル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 3A 1系統ドライエア：φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 質量
- 本体：約8kg
MAF-Sシリーズ
化合物・ガラス対応
エッジホールド式
MAF-SK
裏面非接触でウェーハへのパーティクル汚染を最小限に抑えたφ150mm対応のメカクランプ方式のアライナーです。
製品特徴
###化合物半導体･ガラスにも対応可能です。(ご相談下さい)
###ウェーハに対して端面のみの接触で、クリーンアライメントを実現しております。
###ノッチ、オリフラの種別を自動で識別するため上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内臓したコンパクトなデザインに仕上がっています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ150mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 8.5秒以内(持ち替え無し時)20.0秒以内（持ち替え有り時）
- 処理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±1mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- エッジホールド
- ウェーハ保持確認
- フォトマイクロセンサ
- 通信仕様
- RS-232C(シリアル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統ドライエア：φ6mm 0.35MPa～0.4MPa 1系統
- 質量
- 本体：約8kg
MAF-Aシリーズ
シリコンウェハ対応
裏面吸着式
本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。
###φ200mm～φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。
###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。
製品規格
- 適用ワーク
- φ200mm～φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 3秒以内(φ300mmを処理時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェーハ保持確認
- デジタル表示付き真空センサー
- 通信仕様
- RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約12kg
MAF-Hシリーズ
シリコンウェハ対応
エッジホールド式
MAF-H
本製品は裏面非接触でウェハへのパーティクル汚染を最小限に抑えた、φ200mm対応のメカクランプ方式のアライナーです。
製品特徴
###φ200mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハに対応可能です。
###ウェーハに対して端面のみの接触で、クリーンアライメントを実現しております。
###ノッチ、オリフラの種別を自動で識別するため上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内臓したコンパクトなデザインに仕上がっています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ200mmウェハ(ノッチ、オリフラ)SEMI/JEIDA規格ウェーハ※特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 8.0秒以内(持ち替え無し時)20.0秒以内（持ち替え有り時）
- 処理精度
- θ：±0.2°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±1mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- エッジホールド
- ウェーハ保持確認
- フォトマイクロセンサ
- 通信仕様
- RS-232C(シリアル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統]
- 質量
- 本体：約8kg
MAF-THシリーズ
薄厚対応
ベルヌーイ式
MAF-THBZ
ベルヌーイ効果を利用して、薄厚ウェハのオリフラ/ノッチ合わせ、センターリングを高速に行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理が可能です。
###φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###RS-232Cによるシリアル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ300mm(厚み:50～800μm)ウェハ ※特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 5.5秒以内(持ち替え無し時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内 θ：±0.1°以内
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェハ保持確認
- 反射型赤色LEDセンサ
- 通信仕様
- RS-232C
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約14kg
MAF-TIシリーズ
薄厚対応
ベルヌーイ式
MAF-TIBZ
ベルヌーイ効果を利用して、薄厚ウェハのオリフラ/ノッチ合わせ、センターリングを高速に行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理が可能です。
###φ150mm～φ200mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###RS-232Cによるシリアル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ150mm～φ200mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 5.5秒以内(持ち替え無し時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内 θ：±0.1°以内
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面を最小接触点にて保持
- ウェーハ保持確認
- 反射型赤色LEDセンサ
- 通信仕様
- RS-232C
- 電源
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統
- 重量
- 本体：約14kg
MAF-TLシリーズ MAF-TLBZ
ベルヌーイ効果を利用して、薄厚ウェハのオリフラ/ノッチ合わせ、センターリングを高速に行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理が可能です。
###φ100mm～φ150mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###RS-232Cによるシリアル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ100～150mm(厚み:50～800μm)ウェハ ※特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 5.5秒以内(持ち替え無し時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内 θ：±0.1°以内
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェハ保持確認
- 反射型赤色LEDセンサ
- 通信仕様
- RS-232C
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約14kg
MAF-Rシリーズ
化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-RAPN
本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。
###φ200mm～φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。
###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ200mm～φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 4.5秒以内(φ300mmを処理時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェーハ保持確認
- デジタル表示付き真空センサー
- 通信仕様
- RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約12kg
MAF-RB シリーズ
化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-RBPN
本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。
###φ100mm～φ200mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。
###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ100mm～φ200mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 5.5秒以内(φ200mmを処理時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェーハ保持確認
- デジタル表示付き真空センサー
- 通信仕様
- RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約12kg
MAF-RCシリーズ
化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-RC
本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。
###φ150mm～φ300mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。
###RS-232Cもしくは、RS-485によるシリアル通信または、フォトI/Oによるパラレル通信で制御可能です。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ150mm～φ300mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 4.5秒以内(φ300mmを処理時)
- 処理精度
- XY：±0.1mm以内（3σ)θ：±0.1°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±5mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェーハ保持確認
- デジタル表示付き真空センサー
- 通信仕様
- RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統
- 質量
- 本体：約12kg
MAF-RP シリーズ
化合物・ガラス対応
裏面吸着式
MAF-RP
本製品は非接触にて、ウェーハのオリフラ合わせ・センターリングを高速で行うユニットです。
製品特徴
###ウェーハセンタリング、角度合わせを持ち替えなしで行える為、高速処理を行ないます。
###φ50.8mm～φ100mmのSEMI/JEIDAシリコンウェーハにマルチ対応可能です。
###ウェーハサイズ及びノッチ・オリフラの種別を自動認識するため、上位コントローラからの設定が不要です。
###コントローラを内蔵したコンパクトなデザインに仕上がっています。
###ラインセンサーにCCD方式の受光部素子を利用し、透明ガラス、化合物半導体のアライメントを実現しています。
製品規格
- 適用ワーク
- φ50.8mm～φ100mmSEMI/JEIDA規格ウェーハ※ガラスウェーハなどの特殊品は御相談下さい。
- 処理時間
- 4.5秒以内(φ100mmを処理時)
- 処理精度
- XY：±0.2mm以内（3σ)θ：±0.2°以内（3σ)
- 処理可能範囲
- ±4mm以内(ウェーハ中心ズレ量)
- ウェーハ保持方法
- 裏面真空吸着
- ウェーハ保持確認
- デジタル表示付き真空センサー
- 通信仕様
- RS-232C,RS-485(シリアル通信)フォトI/O(パラレル通信)
- ユーティリティ
- 電源：DC24V±10％ 5A 1系統真空：-80kPa以下 1系統ドライエア：0,4MPa±50kPa 1系統
- 質量
- 本体：約14kg
搬送事業部 営業課
(086)239-5117
(086)239-5118
